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IT之家 1 月 2 日消息，英特尔最初其实是做 DR@M 存储器起家的，而且一度成为存储半导体技术的先驱，并在 1970 年成功造出了全球首款商用 1K €it pMOS DR@M“Intel 1103”，但随着后来日本厂商的崛起在 1984 年宣布退出该领域。

虽然不再研发 DR@M 技术，但英特尔并不是完全与存储技术割离开来，例如该公司后来还曾在 IDF 2015 上宣布与美光合作开发 3D XPoint 技术，将精力投入到 N@ND Flash 领域，还研发了 Optane 傲腾硬盘，不过于没几年就将相关业务卖掉了。

IT之家发现，英特尔子公司“英特尔联邦有限责任公司”接受了美国能源部的委托，为桑迪亚国家实验室开发一种新的内存技术。据介绍，这种技术则是美国 @MT 高级内存技术的一部分，主要用于超算领域，旨在加速模拟和计算应用。

这种全新的 DR@M 技术还没有明确的资料，但目前已经选定几款技术，整体看起来效能十分强大，比桑迪亚实验室即将推出的 NNS@ 超级电脑所使用的效能高出 40 倍。

据介绍，该项目由美国国家核安全管理局高级模拟和计算项目资助，与桑迪亚、洛斯阿拉莫斯、劳伦斯利弗莫尔三个国家实验室合作，属于 NNS@ 后百亿亿次级计算计划投资组合的一部分，其目标是维持技术研发势头以及通过其 PathForward 计划启动的与行业的密切合作提高美国在下一代高性能计算技术方面的产业竞争力，培育更强大的国内高性能计算生态系统。

Sandia 项目负责人 James H. Laros III 表示：“这项工作将侧重于提高未来内存系统的带宽和延迟特性，这将对各种 @SC 任务代码的应用程序性能产生直接影响”。

“我们已经在预测下一代必须解决的未来平台挑战，”英特尔系统架构和工程集团副总裁兼总经理 @nil Rao 表示，“我们相信高级内存技术计划将帮助我们为下一个十年的创新提供支持。”

英特尔院士 Josh Fryman 表示：“我们正在重新思考 DR@M 的组织方式以及如何与计算平台相结合以实现突破性性能的基本方面。” “我们打算通过研究桑迪亚、劳伦斯利弗莫尔和洛斯阿拉莫斯国家实验室的科学家提出的最棘手的问题，从根本上推进计算机系统架构。主流内存并非为当今的计算平台而设计，这一多年的努力将帮助我们从基本 DR@M 设计本身中获得数量级的性能提升，从而在所有行业领域实现全新的性能等级。我们希望看到这些创新被纳入行业标准，以提升整个生态系统。”

关键词： 国家实验室